Как генерируется электромагнитное излучение
·
Зависящая от времени плотность тока генерирует, кроме
пропорционального плотности тока поля
Био-Савара, которое убывает с расстоянием dху между точками х и у как dху–2, также токо-ускорительные
электрическое поле и поле магнитной индукции, пропорциональные производной по времени от плотности тока
и убывающие как dху–1.
На достаточно большом расстоянии
от источника токо-ускорительные поля играют основную роль и представляют собой
электромагнитное излучение радиоволнового диапазона.
·
Движущийся микрозаряд порождает, кроме зависящего только от положения заряда кулоновского поля и
пропорционального скорости микрозаряда
поля Био-Савара, которые убывают с расстоянием как dху–2, зарядо-ускорительные электрическое поле
и поле магнитной индукции, пропорциональные
ускорению микрозаряда и убывающие как dху–1.
На достаточно большом расстоянии
от источника зарядо-ускорительные поля играют основную роль и представляют
собой электромагнитное излучение микрозаряда в диапазонах от инфракрасного до
гамма-излучения.
Список основных обозначений
A = A(x, t) – векторный магнитный потенциал;
A(х) –
окрестность осреднения для точки х;
а –
характерное значение модуля ускорения микрозаряда;
ап(t) – вектор ускорения микрозаряда с номером п;
В = В(x, t) – вектор магнитной индукции;
с = 3 ∙
108 м/с – скорость света в
вакууме;
D – выпуклая пространственная область, в которой поляризация и
намагниченность среды не играют существенной роли;
Dj – подобласть области D, в которой вектор плотности тока отличен от нуля;
Dρ – подобласть области D, в которой плотность заряда отлична от нуля;
‹d› –
среднее расстояние между ближайшими микрозарядами;
dху = |х – у| – расстояние между точками х и у;
dV –
элемент объёма в точке у;
Е = Е(x, t) – вектор напряжённости электрического поля;
j(х, t) – вектор плотности тока;
k = ω с –1
– модуль волнового вектора;
L – характерное расстояние, на котором происходят существенные изменения плотностей зарядов и токов;
т – масса иона;
N(t) – число микрозарядов, находящихся в окрестности
осреднения в момент времени t;
qп – величина микрозаряда с номером п;
rа – радиус окрестности осреднения A(х);
s = (х – у)/|х – у|;
t – время;
t´ = t + dху/с;
t^ = t – dху/с;
Vа = 4/3 π rа3 – объём окрестности осреднения;
vп(t) – вектор скорости микрозаряда с номером п;
v – характерное значение модуля скорости микрозаряда;
х – радиус-вектор точки, в которой определяется поле;
у – радиус-вектор источника поля;
α(х, t) = ∂/∂t j(х, t) – вектор плотности токового ускорения;
ε0 = 8,85
•10–12 Кл2 ∙ Н–1 ∙ м – 2
– электрическая постоянная (диэлектрическая проницаемость вакуума);
η(х, t) = ∂/∂t ρ(х, t) – скорость изменения плотности заряда;
κ – жёсткость связи между соседними ионами;
λ = 2π с ω–1 = 2π k–1 – длина волны;
μ0 =
(ε0 с2) –1
Н ∙ с2 ∙ Кл–2 – магнитная
постоянная (магнитная проницаемость вакуума);
ρ(х, t) – плотность заряда;
Ф(x, t) – скалярный потенциал;
ω – круговая частота тока;
□ – оператор Д´Аламбера.
Основные параметры, используемые в системе уравнений Максвелла
Определения плотности заряда и плотности тока
Согласно представлениям классической
электродинамики первичными источниками всякого электрического и магнитного поля
являются микрозаряды – заряженные
элементарные частицы и ионы. Число микрозарядов, участвующих в создании
рассматриваемых полей, как правило, столь велико, что проследить за каждым из
них принципиально невозможно. Удобный
выход из этого затруднения предоставляет установленный с высокой достоверностью
принцип суперпозиции, согласно
которому электрическое и магнитное поля, создаваемые любым числом микрозарядов,
суммируются. Использование этого принципа дало возможность сделать основным
объектом изучения средние арифметические значения полей, создаваемых
микрозарядами, которые оказались в рассматриваемый момент времени в
непосредственной окрестности рассматриваемой точки.
При нахождении среднего значения
используется определяемая в каждой точке х
пространства окрестность осреднения A(х), в качестве которой удобно
использовать шар с радиусом rа,
имеющий объём Vа = 4/3
π rа3. Осреднение производится в
каждый момент времени t по совокупности N(t) микрозарядов, находящихся в этот момент в A(х). Основные
входные параметры системы уравнений Максвелла – плотность заряда ρ(х, t) и вектор
плотности тока j(х, t)
определяются при этом формулами:
N(t)
ρ(х, t) = Vа–1 Σ qп;
(1)
п =1
N(t)
j(х, t) = Vа–1 Σ qп vп (t).
(2)
п =1
Чтобы определённые соотношениями (1) и (2)
величины ρ и j допускали дифференцирование по времени и интегрирование
по пространственным координатам, число N(t) в каждый момент времени должно быть достаточно
большим. Это условие удовлетворяется, если величина rа
значительно больше среднего расстояния ‹d› между микрозарядами:
rа >> ‹d›.
(3)
С другой стороны, радиус окрестности
осреднения должен быть значительно меньше характерного расстояния L, на котором происходит физически
значимое изменение величины определяемых плотностей:
rа << L. (4)
Одновременное выполнение условий (3) и (4)
возможно только тогда, когда
L >> ‹d›.
(5)
·
Если условие (5) не соблюдается, невозможно корректное определение
понятий плотность заряда и плотность тока, а, следовательно, теряет
смысл система уравнений Максвелла, в которой эти параметры являются основными
входными величинами.
Электрическая и магнитная проницаемости
Для учёта реально существующего, но не
описываемого теорией взаимодействия микрозарядов друг с другом и одновременно с
внешним полем при дальнейшем построении макроскопической электродинамики
приходится ввести не выражающиеся явным образом через параметры микрозарядов
феноменологические параметры среды – электрическую
проницаемость ε и магнитную
проницаемость μ. Первый из этих параметров должен учитывать
поляризацию отдельных атомов, молекул или целых кристаллов в рассматриваемой
среде приложенным электрическим полем, а второй отражает появление
дополнительной намагниченности сред под влиянием приложенного магнитного поля.
Другими словами, электрическая и магнитная проницаемости приближённо учитывают
изменение под действием приложенного поля взаимного расположения и движения
всей совокупности микрозарядов, попавших в окрестность осреднения А(х),
а также обратное влияние этих изменений на величину поля.
Величины ε и μ зависят как от
вида конкретной среды, так и от существующего в среде электрического и магнитного
поля. В настоящее время отсутствуют теоретические модели, позволяющие
количественно определить эту зависимость, так что при определении значений
ε и μ приходится пользоваться эмпирическими формулами. В конечном
счёте исследователь оказывается перед выбором из двух альтернатив:
·
использовать
возможно более точные эмпирические зависимости, лишившись всякой надежды на
получение аналитического решения задачи;
·
заменить
величины ε и μ некоторыми усреднёнными постоянными значениями и
получить точное аналитическое решение задачи, имеющей, возможно, весьма
отдалённое отношение к реальной ситуации.
Необходимость выбора между двумя достаточно
плохими вариантами отпадает, если ограничиться рассмотрением среды, в которой
поляризация и намагниченность не играют существенной роли и можно положить
ε ≈ ε0,
(6)
μ ≈ μ0.
(7)
В частности, соотношения (6) и (7) дают
достаточно хорошее приближение для не очень плотных газов, а также при
построении теории микрополей, когда операция осреднения параметров не
применяется.
Генерация электромагнитных полей при наличии плотности заряда и
плотности тока
Выражения для электрического вектора и вектора магнитной индукции
Как показывается в курсах электродинамики (см., например, Матвеев), вектор магнитной индукции В может быть выражен через векторный магнитный потенциал А
В = rot A, (8)
а для электрического вектора в общем случае векторного магнитного потенциала недостаточно и требуется привлечение скалярного потенциала Ф:
E = – grad Ф – ∂A/∂t. (9)
Рассмотрим выпуклую пространственную область
D, для всех точек которой и для
всех моментов времени, предшествующих рассматриваемому, выполняются условия (5)-(7) и обозначим через Dρ и Dj подобласти
области D, такие что
в Dρ отлична от нуля плотность заряда (ρ ≠
0), а в Dj – плотность
тока (j ≠ 0).
При использовании калибровочного условия Лоренца, имеющего в рассматриваемом случае вид
div A + с –2 ∂Ф/∂t = 0,
в области D потенциалы А и Ф удовлетворяют уравнениям:
□А = – μ0j, (10)
□Ф = – ε0–1 ρ. (11)
Правые части уравнений (10) и (11) определяют локальные источники поля.
Использование метода запаздывающих потенциалов приводит к справедливым во всей области D выражениям для частных решений уравнений (10) и (11), определяющих вклад в суммарное поле локальных источников, находящихся внутри области D:
Ain(x, t) = (4π) – 1μ0 ∫ dху–1 j(у, t^) dV, (12)
Dj
Фin(x, t) = (4πε0) – 1 ∫ dху–1 ρ(у, t^) dV, (13)
Dρ
где
t^ = t^(х, у, t) = t – dху/с.
Соотношения (12), (13) вместе с (8) и (9) дают возможность определить электрическое поле Еin(x, t) и поле магнитной индукции Вin(x, t), генерируемые источниками, находящимися внутри области D.
Выполняя в правых частях (12)-(13) векторное дифференцирование по параметру х под знаком интеграла с учётом зависимости от х величины t^, получаем:
rotх[dху–1 j(у,
t^)] =
(14)
= dху–2 j(у, t^) × s + с – 1 dху–1 α(у, t^) × s;
gradх[dху–1 ρ(у, t^)] =
(15)
= – dху–2 ρ(у,
t^)
s – с – 1
dху–1 η(у,
t^) s.
Из (8)-(9), (12)-(15) а также равенства
∂/∂t [dху–1 j(у, t^)]
= dху–1 α(у, t^)
следует, что
Еin(x, t) = ЕС(x, t) + ЕD(x, t) + ЕСА(x, t),
Вin(x, t) = ВBS(x, t) + ВСА(x, t),
где
ЕC (x, t) =
(16)
= (4πε0) – 1 ∫ dху–2ρ(у, t^) s dV,
Dρ
ЕD(x, t) =
(17)
= (4π сε0) – 1 ∫ dху–1 η(у, t^) s dV,
Dρ
ЕCA(x, t) =
(18)
= – (4π) – 1 μ0 ∫ dху–1 α(у, t^) dV,
Dj
ВBS(x, t) = (4π) – 1 μ0 ∫ dху–2 j(у, t^)×s dV,
(19)
Dj
ВCA(x, t) = (4π с) – 1 μ0 ∫ dху–1 α(у, t^)×s dV. (20)
Dj
Полная величина электрического поля Е и поля магнитной
индукции В,
действующих в области D, представляется в
виде суммы рассмотренных полей Еin и Вin, порождённых источниками, находящимися
внутри области D, и порождённых находящимися вне
области D источниками полей Еout и Вout:
Е(x, t) = Еin(x,
t) + Еout(x,
t),
В(x, t) = Вin(x,
t) + Вout(x,
t).
·
Элемент объёма dV
вокруг точки у, в которой в момент
времени t плотность заряда ρ(у, t) отлична
от нуля, создаст в каждой точке х, весь
путь до которой проходит в неполяризующейся и ненамагничивающейся среде, в
момент времени t´= t + dху/с кулоновское поле
ЕС = (4πε0) – 1 dV dху–2 ρ(у, t) s.
Если при тех же условиях отлична от нуля производная по времени
η(у, t) от плотности заряда, в точке х создаётся также динамическое электрическое поле
ЕD = (4πε0) – 1 dV с –1 dху–1 η(у, t) s.
Динамическое поле становится абсолютно
преобладающим над кулоновским на расстояниях dху от источника, удовлетворяющих условию
dху >> с
τη,
где τη – характерное время изменения плотности заряда, которое
может быть приближённо оценено по формуле
τη ≈ |ρ| / |η|.
·
Элемент объёма dV
вокруг точки у, в которой в момент
времени t вектор плотности тока j(у, t) отличен от нуля, создаст в каждой точке х, весь путь до которой проходит в
неполяризующейся и ненамагничивающейся среде, в момент времени t´ поле Био-Савара
ВBS = (4π) – 1 μ0 dV dху–2 j(у, t) × s.
Если при тех же условиях отличен от нуля вектор токового ускорения
α(у, t) (производная по времени от
вектора плотности тока), в момент времени
t´ в точке х создаётся
также токо-ускорительное электрическое поле
ЕСА = – (4π) – 1 μ0 dV dху–1 α(у, t)
и токо-ускорительное поле магнитной индукции
ВСА = (4π) – 1 μ0 dV с –1 dху–1 α(у, t) × s.
Как и в случае поля, создаваемого зарядами,
токо-ускорительное поле ВСА абсолютно преобладает над полем Био-Савара ВBS на расстояниях dху
от источника, удовлетворяющих условию
dху >> с τα,
где τα – характерное
время изменения плотности тока, приближённо оцениваемое по формуле
τη ≈ |j| / |α|.
(21)
·
При выполнении условия (21) пара функций ЕСА и ВСА является асимптотическим решением
системы уравнений Максвелла /*т.е. подстановка этих функций в уравнения Максвелла даёт малую
невязку порядка (сτα / dху)2*/.
Частный случай - поле элемента линейного переменного тока
Условие применимости уравнений Максвелла в металле
При рассмотрении электромагнитного поля в
металлах система уравнений Максвелла дополняется законом Ома
j = σ Е,
(22)
где проводимость σ – эмпирический параметр, удовлетворяющий
условию
σ > 0
и имеющий смысл только
тогда, когда определена плотность тока j, т.е. при выполнении условия (5).
Появление дополнительного уравнения даёт
возможность не задавать плотность тока j(х, t), а
определять её, наряду с электрическим вектором Е(х, t) и
вектором магнитной
индукции В(х, t).
С использованием (22) и (9) при Ф ≡ 0
из (10) можно получить для неизвестной функции j(х, t)
уравнение:
μσ ∂/∂t j = □ j.
Как показывает анализ этого уравнения (см., например, Матвеев), в проводе, запитанном переменным током
I(t) = I0 sin
ωt,
ток I распределяется по сечению
проводника неравномерно, причём основная его часть сосредоточена в тонком
поверхностном слое (скин-слой)
(skin effect). Толщина скин-слоя Δ выражается через
соответствующую частоте ω длину волны λ = 2πс/ω по формуле:
Δ = (λδ)½,
где имеющая размерность
длины величина δ = (π μ с σ) –1 зависит от материала проводника и от его
температуры.
Величина Δ в рассматриваемом случае
может играть роль фигурирующего в условии (5) характерного расстояния L, на котором происходят
существенные изменения плотности тока. Если при этом принять в качестве
среднего расстояния ‹d› между ближайшими свободными электронами величину
шага кристаллической решётки, т.е. положить
‹d› ≈ 10 – 9 м,
то условие (5)
превращается в неравенство
Δ
> ≈ Δ*= 10 – 6
м.
·
Для переменных токов в металлическом проводнике корректное
определение понятий плотность тока, проводимость и скин-слой возможно только при выполнении условия:
λ > ≈
λ*= Δ*2/δ.
(23)
/*Для провода, изготовленного из
высокоочищенной и подвергнутой оптимальной термообработке меди, при комнатной
температуре
δ = 10 – 11 м, λ* = 10
– 1 м,
а при температуре
жидкого гелия
δ = 10 – 14 м, λ* =
100 м. */
·
Если условие (23) не выполнено, эксперимент обнаруживает
отклонения от предсказаний теории, называемые аномальным скин-эффектом.
/*Для объяснения
аномального скин-эффекта обычно производится сравнение толщины скин-слоя с длиной свободного пробега электрона.
Между тем, понятие свободный пробег к электрону не применимо, т.к. под действием
электромагнитного изучения, генерируемого, в частности, ионами в узлах
кристаллической решётки, а также другими свободными электронами кристалла, движение электрона всегда имеет хаотический
характер и может быть описано только в вероятностных терминах*/
Поля, создаваемые проводником с переменным
током
При выполнении условия (23) элемент
провода dl
создаёт согласно (18)-(20) поля
ВBS = (4π) – 1 μ0 I0 dху–2 sin(ωt – kdху) dl
×s, (24)
ЕСА = – (4π) – 1 μ0 I0 k с dху–1 cos(ωt – kdху) dl, (25)
ВСА = (4π) – 1 μ0 I0 k dху–1 cos(ωt – kdху) dl×s,
(26)
где
k = ω с –1
– модуль волнового вектора.
Поле Био-Савара (24) становится
пренебрежимо малым по сравнению с токо-ускорительным полем (26) при выполнении
условия
dху >> k –1 = λ/2π.
·
Каждый элемент линейного проводника, запитанного переменным током,
удовлетворяющим условию (23), генерирует токо-ускорительные поля ЕСА и ВСА, относящиеся к радиоволновому диапазону.
Электромагнитное поле, генерируемое микрозарядами
Как нетрудно заметить, выражения (12), (13)
для векторного и скалярного потенциалов имеют смысл и в том случае, когда плотности
заряда или тока имеют особенности – важно только, чтобы особенность была
интегрируемой. Иначе говоря, требование к радиусу окрестности осреднения,
выражаемое неравенством (3), в данном случае не является необходимым и можно
уменьшить величину rа
настолько, что в область A(х)
попадает только один микрозаряд.
·
При использовании интегральных представлений (12) и (13) векторного
и магнитного потенциалов условия (3)-(5) и само наличие плотности заряда и
плотности тока не являются необходимыми.
Рассмотрим микрозаряд q, который в момент времени
t^ = t – dху*(t^) с –1 (27)
находился в точке у* = у*(t^) и обладал скоростью v(t^).
Если известен закон движения микрозаряда у* = у*(t), то соотношение (27) даёт неявное определение функции t^ = t^(t).
Чтобы получить выражения для векторного и
магнитного потенциалов, создаваемых этим микрозарядом, заменим фигурирующие в
(12) и (13) под знаком интеграла величины плотности заряда и тока
соответствующими δ-функциями:
ρ(у, t^) = q δ(у*(t^) – у),
ι(у, t^) = q v(t´)
δ(у*(t^) – у).
В результате такой замены получаются
выражения:
A(x, t) = (4π) – 1μ0 q dху*(t^) –1 v(t^),
(28)
Ф(x, t) = (4πε0) – 1 q dху*(t^) –1. (29)
После этого для определения генерируемых отдельным микрозарядом электрического и магнитного поля остаётся воспользоваться формулами (8) и (9).
При определении ротора правой части (28) и
градиента правой части (29) получаются аналогичные соотношениям (14) и (15)
выражения:
rotх[dху*(t^) –1 v(t´)] =
(30)
= dху*(t^) –2 v(t^)× s + с – 1 dху*(t^) –1 а(t´)×s;
gradх[dху*(t^) –1] = (31)
= – dху*(t^) –2 s.
Выражение
для частной производной по времени от правой части (28) при этом несколько
усложняется из-за зависимости от времени положения источника у*(t´):
∂/∂t [dху*(t^) –1 v(t^)] =
(32)
= [dху*(t^) –2 (v(t^)∙s) v(t^) + dху*(t^) –1 а(t^)]
dt^/dt.
Согласно правилу дифференцирования неявной
функции
dt^/dt
= [1– (v(t^)∙s) с –1]–1 .
(33)
Использование (8)-(9) и (28)-(33) приводит
к выражениям для полей ВМС
и ЕМС, создаваемых
микрозарядом:
ЕМС(x, t) = ЕС(x, t) + ЕV(x, t) + ЕА(x, t),
ВМС(x, t) = ВBS(x, t) + ВА(x, t),
где
ЕС(x, t)
= (4π) – 1 μ0 q с2 dху*(t^) –2
s ,
ЕV(x, t) =
=
(4π) – 1 μ0 q dху*(t^) –2
(v(t^)∙s) v(t´)[1– (v(t^)∙s) с –1]–1,
ЕА(x, t) = – (4π) – 1 μ0 q dху*(t^) –1
а(t^),
(34)
ВBS(x, t) = (4π) – 1 μ0 q dху*(t^) –2 v(t^)×s,
ВА(x, t) = (4π) – 1 μ0 q с –1 dху*(t^) –1
а(t^)×s. (35)
В случае нерелятивистских скоростей
| v(t^)| << с.
При выполнении этого условия «скоростное» поле ЕV(x, t) пренебрежимо мало по сравнению с кулоновским полем ЕС(x, t).
Зарядо-ускорительное электрическое поле ЕА(x,
t) преобладает над
кулоновским на расстояниях от источника, удовлетворяющих условию
dху*(t^)
>> с2/а, (36)
а зарядо-ускорительное поле магнитной индукции ВА(x, t) преобладает над полем Био-Савара ВBS(x, t) при более слабом условии
dху*(t^)
>> сv /а.
·
В нерелятивистском случае микрозаряд q, находящийся в момент времени t в точке у* и движущийся со скоростью v и ускорением а, создаст в точке х в
момент t´ электрическое поле Е и поле магнитной индукции В, представляющиеся в виде
Е = ЕС + ЕА,
В = ВBS + ВА,
где
ЕС =
(4πε0) – 1q dху*(t´) –2
s = μ0 (4π)
– 1q с 2 dху*(t´)
–2 s, ЕА = – μ0 (4π) – 1q dху*(t´)
–1 а.
ВBS =
μ0 (4π) – 1q dху*(t´) –2 v×s,
ВА = μ0
(4π) – 1q с – 1 dху*(t´)
–1 а×s,
если на всём пути распространения поля от точки у* к точке х выполнялись условия (6) и (7).
При
выполнении условия (36) как электрическое поле, так и поле магнитной индукции,
создаваемые микрозарядом, сводятся к зарядо-ускорительным полям ЕА и ВА,
убывающим как dху*(t^) –1
при увеличении расстояния от источника.
·
При любой длине волны выражения (34), (35) для
зарядо-ускорительных полей определяют электромагнитные волны, генерируемые
отдельным микрозарядом.
Ионы, входящие в состав молекул или
кристаллов, совершают колебания на частотах, соответствующих спектру собственных
колебаний. Собственные частоты ограничены сверху величиной, пропорциональной
(κ/т)½, где
κ – жёсткость связи между соседними ионами; т – масса иона. Граница снизу для спектра колебаний ионов
определяется тем, что длина волны колебаний не может превосходить размеры
кристалла (обычно ≈ 1 мкм).
Свободные электроны в ионизированном газе,
как следует из результатов раздела Стохастические
характеристики движения заряженной частицы в поле электромагнитной радиации, совершают хаотическое движение
со значительно большими, чем тяжёлые ионы, средними скоростями и частотами,
включающими рентгеновскую часть спектра.
Наконец, самая коротковолновая часть спектра
– гамма-излучение – определяется колебаниями заряженных нуклонов в процессе
ядерных реакций, собственные частоты которых выше рентгеновских благодаря
высокой жёсткости внутриядерных связей.
·
Электромагнитное излучение в диапазонах от инфракрасного до
ультрафиолетового включительно представляет собой зарядо-ускорительное поле,
порождённое колебаниями ионов, входящих в состав молекул или кристаллов,
рентгеновское излучение – хаотическим движением свободных электронов, а
гамма-излучение – движением заряженных нуклонов в процессе ядерных реакций.
Дата
последнего обновления: 2011/04/25